Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCIe 4.0 V-NAND MLC NVMe
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    SAMSUNG

    Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCIe 4.0 V-NAND MLC NVMe

    MZ-V9P1T0BW
    Beneficios principales

    Samsung 990 PRO

    • 1000 GB
    • M.2
    • 7450 MB/s
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    General

    Samsung 990 PRO.

    • SDD
    • capacidad: 1000 GB
    • Factor de forma de disco SSD: M.2
    • Velocidad de lectura: 7450 MB/s
    • Velocidad de escritura: 6900 MB/s
    • Componente para: PC
    Factor de forma de disco SSDM.2
    SDD, capacidad1000 GB
    InterfazPCI Express 4.0
    Tipo de memoriaV-NAND MLC
    NVMeSi
    Componente paraPC
    Encriptación de hardwareSi
    Versión NVMe2.0
    Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
    Velocidad de lectura7450 MB/s
    Velocidad de escritura6900 MB/s
    Lectura aleatoria (4KB)1200000 IOPS
    Escritura aleatoria (4KB)1550000 IOPS
    Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
    Función DevSleepSi
    Soporte S.M.A.R.T.Si
    Soporte TRIMSi
    Memoria caché DDR externaSi
    Cantidad de memoria caché DDR externa1024 MB
    Tiempo medio entre fallos1500000 h
    Voltaje de operación3,3 V
    Consumo de energía (max)7,8 W
    Consumo de energía (promedio)5,4 W
    Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
    Máxima temperatura70 °C
    Vibración operativa1500 G
    Ancho80 mm
    Profundidad2,3 mm
    Altura22 mm
    Peso9 g
    Tipo de embalajeCaja
    Información adicional
    Memoria
    Tipo de Memoria V-NAND MLC
    Conectividad
    Interfaz PCI Express 4.0
    General
    Factor de forma de disco SSD M.2
    NVMe Si
    Componente para PC
    SDD, capacidad 1000 GB
    Encriptación de hardware Si
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